210章 技术难关！(1/2)

众人的交谈很愉快，宋曼丽也喝了一些酒，一张精致的脸上染满红霞，眼神也变得朦胧起来。

杨杰也有了七八分酒意，脑袋也是昏昏沉沉的，而霍晓天跟顾晓松也是喝的醉醺醺的。

杨杰强忍着醉意送走了霍晓天跟顾晓松，这次跟宋曼丽上了车。

“姐，没事吧？”杨杰关切地看着身边的宋曼丽问道。

“没事，我想睡一觉，借你肩膀靠一下。”宋曼丽醉眼朦胧地看着杨杰道，柔软的话语中带着撒娇的意味。

“你睡吧。”心中某杨杰个地方触动了一下，他压下了这种莫名的情绪，笑着道。

宋曼丽脸上露出了笑意，斜靠在杨杰的宽阔的肩膀上闭上了眼。

鼻端飘来宋曼丽身上混合着酒精的馥郁香气，杨杰的心中也是满腔的温柔。

霍晓天在燕京待了没几天便飞往乌克兰那边了，他现在的任务一边是在那边拓展业务，另外就是在那边搜寻人才。

杨杰跟宋曼丽也是在十月中旬的时候一同回到了潭州市。

赶回潭州市后，杨杰却是得知华越电子公司在0,18微米制程工艺上取得了突破，他也是高兴不已，连忙赶过去。

当他到了华越电子公司后，发现徐工、何玉光、席海清和一批技术工程师都是愁眉苦脸的。

“怎么回事？”

“杨少，流片的良率太低了，大家都在寻找问题，都是没有一个头绪……”何玉光说道。

华越电子公司和中晶微电子、瑞星科技公司的大批负责人跟工程师现在都聚在一起解决良率的问题。

华越电子公司这次对新蓝科技公司的闪存颗粒进行了第一轮工程流片，已经拿出了数量极少的工程样品，但0.18微米制程还不成熟，尝试实验流片下，良品率低的要死，连续做了五张晶圆后经测试只得到11片合格产品。

“把样品拿过来给我看一下。”杨杰说道，徐少秋等人眼中闪过亮光，急忙让技术人员将样品拿了过来。

华越电子公司有内部锅炉，会议室室里面温暖如春，，杨杰对着电脑将样品在电子显微镜下拍摄的一张张照片用幻灯机投在屏幕上，芯片上以纳米为单位的微结构被放大如斗，在看了很多张照片后，他心中已经有数了。

“这些照片大家开会前都已经看过，对栅极埋入层的形貌结构心里也都有数了，我来给大家分析一下，看看和大家自己做出的分析是不是一样。”

看着几十双眼睛看着自己，杨杰也是说出了自己的看法：“我们这次工程流片之所以会出现大批不能读写的次品，良品率极低，主要原因虽然有目前的0.18微米实验制程不成熟的原因，但再怎么不成熟，良品率也不能这么低。刚才我看了一下照片，真正搞出次品的原因是因为我们的埋入晶圆的栅极扩散层形态异常。”

会议室里徐工也是松了口气，这次负责攻关0.18微米制程工艺的负责人是他，他也是担心自己在技术路线上出现了重大问题。

“大家看这张电镜探伤图，左边是这次的良品，右边是这次的不合格品，左边正常形态下的埋入层扩散结构和右边的区别是很明显的，我知道大家现在一定在想，为什么会出现右边这些次品？问题出在哪呢？”

会议室里面很多技术人员也是踊跃发言。

“刚才这位黄海波判断的不错，这个情况确实跟我们扩散层离子注入工序有问题。”

这位被点到名的技术人员眼中露出惊喜的神色。

“那么我问你，这道工序到底出现了什么问题？”杨杰追问道。

这个技术人员却是回答不上来。

“杨少，难道是注入机的真空度问题？”徐少秋问道。

“不错，就是注入机的真空度不够，从而引起埋入扩散层的氧化膜厚度中间薄周边厚，薄的部分隔离差，造成中间漏电。”

台下工程师们有的表情恍然大悟，有的则是兴奋地点头，表示不出所料，杨杰的判断和他们一样。

杨杰继续道：“我认为失败也是好事，给了我们总结的经验嘛，要是不出事，我倒觉不好，那样一来大家反而什么都学不到。”

他看着席海清说道：“席总，你马上把瑞星科技公司目前正在研发中的新型离子注入机的改良版真空部件拿过来对华越电子公司的设备进行升级改装。从他们给出的新设备真空参数来看，改装升级以后应该就能马上解决问题，过几天第二批工程流片出来以后，大家对着电镜图片就能看出区别了。”

“是，杨少，我马上安排。”

在座的工程师们有的心里还是悬着，担心这次改装升级要是依然解决不了问题可怎么办呢？

杨杰继续按动鼠标，把投影仪上的图片换了一张，继续讲解道：“这张图很经典啊，这是栅邬化硅附着不良的典型特征，是多晶硅生长工艺的问题，只要改进栅邬化硅生长前的清洗工艺，从而消除附着不良的现象就可以了。”

底下几位负责硅晶片的工程师听到这个也是赶紧记下杨杰所说的改进方案。

杨杰继续给大家讲解今后制程工艺需要改进的地方和具体方法，大家听得津津有味，飞快地记着笔记，人人都觉得眼前被杨杰打开了一扇崭新的大门，而这道门是以前一直苦于西方技术封锁而始终不得窥其究竟的！

随着制程工艺的提升，牵涉到的问题非常之多，就连英特尔这样的公司为了每一代制程工艺也是需要耗费